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Serveur d'exploration sur Pittsburgh - Checkpoint (PascalFrancis)

Index « Auteurs » - entrée « James A. Bain »
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Jame Abraham < James A. Bain < James A. Bibb  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 4.
Ident.Authors (with country if any)Title
001540 (2013) Charles R. Hogg [États-Unis] ; Yoosuf N. Picard [États-Unis] ; Amrit Narasimhan [États-Unis] ; James A. Bain [États-Unis] ; Sara A. Majetich [États-Unis]Pattern transfer with stabilized nanoparticle etch masks
001712 (2013) Kazumi Kuriyama [Japon] ; Matthew J. Chabalko [États-Unis] ; YUNCHUAN KONG [États-Unis] ; YI LUO [États-Unis] ; Tuviah E. Schlesinger [États-Unis] ; James A. Bain [États-Unis]Modeling of Polarization Effects in Au Nanodots Excited With InAs Quantum Dot Emitters for Use as a HAMR Heat Source
002240 (2013) Evan Blair Quirk [États-Unis] ; Andrew Gamble [États-Unis] ; Rozana Hussin [États-Unis] ; Gregory Slovin [États-Unis] ; YUNCHUAN KONG [États-Unis] ; Tuviah E. Schlesinger [États-Unis] ; James A. Bain [États-Unis] ; Kazumi Kuriyama [Japon] ; YI LUO [États-Unis]A Process for Transferring and Patterning InAs Quantum Dot Optical Gain Media for HAMR Near Field Optical Sources
002245 (2013) Cheng-Yuan Wen [États-Unis] ; Gregory Slovin [États-Unis] ; James A. Bain [États-Unis] ; T. E. Schlesinger [États-Unis] ; Lawrence T. Pileggi [États-Unis] ; Jeyanandh Paramesh [États-Unis]A Phase-Change Via-Reconifgurable CMOS LC VCO

List of associated FC03.fr.i

Nombre de
documents		Descripteur
2Enregistrement magnétique
2Propriété magnétique
15277B
18116R
1Amorçage fissure
1Bande interdite
1Bobine inductance
1Bruit phase
1Carbone
1Changement phase
1Commutateur
1Couche autoassemblée
1Faisceau électron
1Fissuration
1Formation motif
1Formation nanomotif
1Gravure ionique réactive
1Gravure plasma
1Interface utilisateur
1Matériau PCM
1Modélisation
1Montage série
1Nanomatériau
1Nanoparticule
1Oscillateur commande tension
1Oxyde de silicium
1Propriété mécanique
1Régime fonctionnement
1Réseau(arrangement)
1Résonateur
1Résultat expérimental
1SiOx
1Substrat nanoparticule
1Substrat silicium
1Technologie MOS complémentaire
1Traitement(durcissement)
1Vitesse gravure

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